ДМП-1 датчики полупроводниковые
Область применения:
Безопасность работ/Контроль ДВК горючих газов
Наименования контролируемых компонентов:
C3H8 Пропан, CH4 Метан
Маркировка взрывозащиты:
Нет
Цена (без учета НДС): По запросу руб.
Описание
Датчик полупроводниковый ДМП-1 предназначен для использования в составе высокочувствительных индикаторных газоаналитических приборов и служит для обнаружения взрывоопасных газов.
Особенности датчиков ДМП-1:
- Принцип действия датчика ДМП-1 основан на увеличении проводимости полупроводниковой керамики, находящейся при температуре 400 - 450 ºС в присутствии восстанавливающих газов.
- Минимальные размеры чувствительного элемента датчика позволяют иметь малое энергопотребление (не более 170 мВт) и высокую устойчивость к механическим нагрузкам.
- Оригинальная конструкция (шунтирование платинового нагревателя полупроводниковой керамикой) в высокой степени подавляет влияние температуры анализируемой среды на выходной сигнал датчика и обеспечивает защиту чувствительного элемента от газовых перегрузок.
- Оболочка из пористого титана позволяет обеспечить степень взрывозащиты датчика ExdllCU.
- При питании датчика стабилизированным током выходной сигнал (Uвых) образуется за счет разницы падения напряжения на чувствительном элементе в чистом воздухе (Uв) и газовой среде (Ur).
Основные характеристики полупроводниковых датчиков ДМП-1:
- Рабочий ток, А - 0,12±0,001.
- Напряжение на датчике в воздухе, В - 1,3±0,13.
- Потребляемая мощность, мВт, не более - 170.
- Время срабатывания, с, не более - 15.
- Атмосферное давление, кПа - 84-106,7
Механические нагрузки:
- Синусоидальная вибрация:
- Диапазон частот, Гц - 5-25.
- Амплитуда смещения, мм - 0,1.
- Многократный механический удар:
- Длительность ударного импульса, мс - 10.
- Пиковое ускорение удара, м/с2 - 100.
- Общее число ударов - 1000
- Продолжительность воздействия, ч - 1,5
Технические характеристики
| Диапазоны измерений |
|
||||
| Погрешность измерений |
|
||||
| Пороги сигнализации | Нижний предел обнаружения, ppm:
|
||||
| Принцип работы |
Полупроводниковый
|
||||
| Диапазон рабочих температур |
-25...+50°С
|
